TK56A12N1,S4X
1个N沟道 耐压:120V 电流:56A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK56A12N1,S4X
- 商品编号
- C7400265
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF |
商品概述
DMG2302UK-7-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。DMG2302UK-7-MS符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 6.2 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 120 V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
-开关稳压器