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TPN4R203NC,L1Q

1个N沟道耐压:30V 电流:23A

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品牌名称: TOSHIBA(东芝)
商品型号: TPN4R203NC,L1Q
商品编号: C7401653
商品封装: TSON-8(3.1x3.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.07956克(g)

商品参数

商品概述

TP90H180PS是一款900V、170mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），为常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具备卓越的可靠性和性能。与硅器件相比，Transphorm的GaN器件通过降低栅极电荷、减少交越损耗和降低反向恢复电荷，提高了效率。

商品特性

小型薄封装
低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)
增强模式:Vth = 1.3 至 2.3 V(VDS = 10 V,ID = 0.2 mA)

应用领域

锂离子二次电池
电源管理开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	23A
	导通电阻(RDS(on))	4.2mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2.3V
	栅极电荷量(Qg)	24nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.37nF