TPH4R606NH,L1Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:32A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH4R606NH,L1Q
- 商品编号
- C7401600
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W；63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.965nF |
商品特性
- 采用小型薄封装,占用空间小
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 19 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 3.8 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值),VDS = 60 V
- 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
-开关稳压器-电机驱动器-DC-DC 转换器