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TPH4R606NH,L1Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:32A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH4R606NH,L1Q
- 商品编号
- C7401600
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W；63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.965nF@30V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.32Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.0S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 100μA（最大值）（VDS = 650V）
- 增强型：Vth = 3.0 至 5.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）
应用领域
- 开关稳压器应用