TK31Z60X,S1F
1个N沟道 耐压:600V 电流:30.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK31Z60X,S1F
- 商品编号
- C7400258
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V,9.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@300V |
商品概述
IRF8313TR是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = 30 V
- 漏极电流ID = 9 A
- 导通电阻RDS(ON) < 13 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 18 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关