TK31Z60X,S1F
1个N沟道 耐压:600V 电流:30.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK31Z60X,S1F
- 商品编号
- C7400258
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
商品概述
IRF8313TR是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.073Ω(典型值)
- 具备高速开关特性和低电容。
- 增强型:Vth = 2.5至3.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.5 mA)
应用领域
- 开关稳压器