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TJ8S06M3L,LXHQ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TJ8S06M3L,LXHQ

1个P沟道 耐压:60V 电流:8A

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描述
特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:ILS = -10 μA(最大值)(VDS = -60V)。 增强模式:VDM = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TJ8S06M3L,LXHQ
商品编号
C7400227
商品封装
DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
0.395克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))104mΩ@10V
耗散功率(Pd)27W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)890pF
反向传输电容(Crss)60pF
类型P沟道
输出电容(Coss)100pF

商品特性

  • 通过AEC-Q101认证
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
  • 低漏电流:IDSS = -10μA(最大值)(VDS = -60V)
  • 增强型:Vth = -2.0至 -3.0V(VDS = -10V,ID = -1mA)

应用领域

  • 汽车行业
  • 电机驱动器
  • DC-DC转换器
  • 开关稳压器

数据手册PDF