TK040N65Z,S1F
1个N沟道 耐压:650V 电流:57A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK040N65Z,S1F
- 商品编号
- C7400239
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.25nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.033Ω(典型值)
- 具备低电容的高速开关特性
- 增强型:Vth = 3至4 V(VDS = 10 V,ID = 2.85 mA)
应用领域
- 开关电源