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FDS3672(UMW)
耐压:100V 电流:7.5A
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- 描述
- 特性：漏极电流 (ID)：7.5A。 导通电阻 (RDS(ON))：23mΩ (VGS = 10V)。 总栅极电荷 (Qg(tot))：28nC（典型值），VGS = 10V。 低米勒电荷。 低 Qn。 体二极管在高频下具有优化效率。应用：DC/DC 转换器和离线式 UPS。 分布式电源架构和电压调节模块
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS3672(UMW)
- 商品编号
- C7394010
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
商品特性
- 漏源电压 V_DS = 100V
- 漏极电流 I_D = 7.5A
- 漏源导通电阻 R_DS(ON) = 19mΩ (栅源电压 V_GS = 10V)
- 总栅极电荷 Q_g(tot) = 28nC (典型值), 栅源电压 V_gs = 10V
- 低米勒电荷
- 低 Q_rr 体二极管
- 高频下效率优化
- UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- DC/DC 转换器
- 离线式 UPS
- 分布式电源架构
- 电压调节模块
- 主开关
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