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AO6402A(UMW)

耐压:30V 电流:7.5A

描述: 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 VDS(V) = 30V。 ID = 7.5A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 24mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）
品牌名称: UMW(友台半导体)
商品型号: AO6402A(UMW)
商品编号: C7394013
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0438克(g)

商品参数

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。