AO6402A(UMW)
耐压:30V 电流:7.5A
- 描述
- 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 VDS(V) = 30V。 ID = 7.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 24mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO6402A(UMW)
- 商品编号
- C7394013
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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