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NTR4502PT1G(UMW)
1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NTR4502PT1G(UMW)
- 商品编号
- C7394012
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V；85mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交13单
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