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IRFR5505TR(UMW)
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 VGS(V) = -60V。 ID = -10A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 110mΩ (VGS = -10V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRFR5505TR(UMW)
- 商品编号
- C7394005
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.465902克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97.3pF |
商品概述
采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压VDS(V) = -60V
- 漏极电流ID = -10A（栅源电压VGS = -10V）
- 导通电阻RDS(ON) < 110mΩ（栅源电压VGS = -10V）
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