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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STM32F205VET6

高性能ARM Cortex-M3 MCU,具有512 KB Flash、120 MHz CPU和ART加速器

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描述
特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU(最高120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能),MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。内存:高达1 Mbyte的闪存。512字节的OTP内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。LCD并行接口,8080/6800模式
商品型号
STM32F205VET6
商品编号
C81869
商品封装
LQFP-100(14x14)​
包装方式
托盘
商品毛重
2.987克(g)
网友设计参考
STM32小型开发板

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核ARM Cortex-M3
CPU最大主频120MHz
CPU位数32 Bit
程序存储容量512KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量132KB
属性参数值
EEPROM容量-
I/O数量82
ADC(位数)12bit
DAC(位数)12bit
振荡器类型内置
工作电压1.8V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

基于ARM®的32位MCU,150 DMIPS,最高1MB Flash/128+4KB RAM,USB OTG HS/FS,以太网,17个定时器,3个ADC,15个通信接口及摄像头接口。

商品特性

  • 核心:ARM® 32位Cortex®-M3 CPU(最高120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator™,允许从Flash存储器实现0等待状态执行性能)、MPU、150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)
  • 存储器:最高1MB Flash存储器;512字节OTP存储器;最高128+4KB SRAM;灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器;LCD并行接口(8080/6800模式)
  • 时钟、复位和电源管理:应用电源+I/O为1.8至3.6V;POR、PDR、PVD和BOR;4至26 MHz晶体振荡器;内部16 MHz工厂校准RC;用于RTC的32 kHz振荡器(带校准);内部32 kHz RC(带校准)
  • 低功耗模式:睡眠、停止和待机模式;VBAT电源用于RTC、20×32位备份寄存器及可选4KB备份SRAM
  • 3×12位、0.5μs ADC,最多24通道,在三重交错模式下最高6 MSPS
  • 2×12位D/A转换器
  • 通用DMA:16流控制器,带集中式FIFO和突发支持
  • 最多17个定时器:最多12个16位和2个32位定时器(最高120 MHz),每个最多4个IC/OC/PWM或脉冲计数器及正交(增量)编码器输入
  • 调试模式:串行线调试(SWD)、JTAG和Cortex-M3嵌入式跟踪宏单元™
  • 封装:LQFP64(10×10 mm)、LQFP100(14×14 mm)、LQFP144(20×20 mm)、LQFP176(24×24 mm)、UFBGA176(10×10 mm)、WLCSP64+2(0.400 mm间距)
  • 最多140个带中断能力的I/O端口:最多136个快速I/O(最高60 MHz);最多138个5V耐受I/O
  • 最多15个通信接口:最多3×I2C接口(SMBus/PMBus);最多4个USART和2个UART(7.5 Mbit/s,ISO 7816接口、LIN、IrDA、调制解调器控制);最多3个SPI(30 Mbit/s),其中2个带复用I2S,可通过音频PLL或外部PLL实现音频级精度;2×CAN接口(2.0B Active);SDIO接口
  • 高级连接性:USB 2.0全速设备/主机/OTG控制器(带片上PHY);USB 2.0高速/全速设备/主机/OTG控制器(带专用DMA、片上全速PHY和ULPI);10/100以太网MAC(带专用DMA,支持IEEE 1588v2硬件、MII/RMII)
  • 8至14位并行摄像头接口(最高48 Mbyte/s)
  • CRC计算单元
  • 96位ID

数据手册PDF