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IXFN140N25T实物图
  • IXFN140N25T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN140N25T

IXFN140N25T

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商品型号
IXFN140N25T
商品编号
C7290926
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)690W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)255nC@10V
输入电容(Ciss)19nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK(TO-263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX-4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK(TO-263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 带氮化铝隔离的miniBLOC封装
  • 高电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 低导通电阻RDS(ON)
  • 雪崩额定
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流斩波器
  • 交流电机驱动器
  • 不间断电源
  • 高速功率开关应用

数据手册PDF