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IXFT86N30T实物图
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IXFT86N30T

IXFT86N30T

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商品型号
IXFT86N30T
商品编号
C7290961
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置-

商品概述

这些高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比,DM6结合了极低的恢复电荷(Qrr)、恢复时间(trr),并在单位面积导通状态漏源电阻方面有显著改善,同时具备市场上针对最严苛的高效桥拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器的最有效的开关特性之一。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 雪崩额定
  • 高电流处理能力
  • 快速本征整流器
  • 低 RDS(on)
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关

数据手册PDF