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IXTA08N100P引脚图
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IXTA08N100P

IXTA08N100P

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商品型号
IXTA08N100P
商品编号
C7290979
商品封装
TO-263AA​
包装方式
管装
商品毛重
1.995克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)800mA
导通电阻(RDS(on))17Ω@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.3nC
输入电容(Ciss)240pF
反向传输电容(Crss)3.6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)18pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

-国际标准封装-低栅极电荷(QG)-雪崩额定值-低封装电感-快速本征整流器-高功率密度-易于安装-节省空间

应用领域

-直流-直流转换器-开关模式和谐振模式电源-交流和直流电机驱动器-激光驱动器-机器人和伺服控制

数据手册PDF