IXTX22N100L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 700W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟道型场效应管（TrenchFET）功率 MOSFET：额定电压 1.5 V
- 超低导通电阻
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关
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