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IXTY32P05T实物图
  • IXTY32P05T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTY32P05T

IXTY32P05T

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商品型号
IXTY32P05T
商品编号
C7291045
商品封装
TO-252AA​
包装方式
管装
商品毛重
0.627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)32A
属性参数值
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))2.5V

商品概述

RM20N60LD采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 20A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 35 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF