IXTT3N200P3HV
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.86nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK 专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 W。
商品特性
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装（IRLR110、SiHLR110）
- 直引脚（IRLU110、SiHLU110）
- 提供卷带包装
- 逻辑电平栅极驱动
- 在 VGS = 4 V 和 5 V 时规定 RDS(on)