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IXTT36N50P引脚图
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IXTT36N50P

IXTT36N50P

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商品型号
IXTT36N50P
商品编号
C7291032
商品封装
TO-268AA​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)36A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)540W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC
输入电容(Ciss)5.5nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)510pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 国际标准封装
  • 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护

数据手册PDF