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IXFX26N100P实物图
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IXFX26N100P

IXFX26N100P

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商品型号
IXFX26N100P
商品编号
C7290971
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)780W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
配置-

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约达50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

商品特性

  • 快速本征二极管
  • 国际标准封装
  • 具备非箝位电感开关 (UIS) 额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC 转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机控制
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF