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IXKH47N60C实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXKH47N60C

IXKH47N60C

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商品型号
IXKH47N60C
商品编号
C7290975
商品封装
TO-247AD​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)47A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V,47A
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)650nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK(TO - 263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中,它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²PAK(TO - 263)适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可散热达2.0 W。

商品特性

  • 表面贴装
  • 提供卷带包装
  • 动态dV/dt额定值
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 在VGS = 4 V和5 V下规定RDS(on)
  • 工作温度达175°C
  • 快速开关

数据手册PDF