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IXFR140N30P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板上的硅芯片
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
- 具备非钳位感性开关(UIS)额定值
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- 快速本征二极管
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度