IXFL210N30P3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,105A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 268nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 国际标准封装-具备非箝位感性开关 (UIS) 额定值-封装电感低-易于驱动和保护-易于安装-节省空间-功率密度高