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DMP65H20D0HSS-13
1个P沟道 耐压:600V 电流:0.2A
- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP65H20D0HSS-13
- 商品编号
- C7264684
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@10V,0.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为500 mA时，RDS(ON) < 1.45 Ω
- 当VGS为4.5 V、ID为200 mA时，RDS(ON) < 1.95 Ω
- 当VGS为2.5 V、ID为100 mA时，RDS(ON) < 4.0 Ω
- 当VGS为1.8 V、ID为10 mA时，RDS(ON) < 6.0 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 静电放电（ESD）防护2KV人体模型（HBM）
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准
- 符合IEC 61249标准的绿色模塑料
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