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DMT10H025SK3-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:41.2A
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- 描述
- 新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H025SK3-13
- 商品编号
- C7264706
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53472克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@6V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.544nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
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