- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT5012LFVW-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:11.7A 电流:51.4A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT5012LFVW-7
- 商品编号
- C7264717
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51.4A；11.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.7W；51.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 738pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试——确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 可焊侧翼,便于光学检测
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光源
- 电源管理功能
- DC - DC转换器
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