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DMT10H009LFG-7实物图
  • DMT10H009LFG-7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT10H009LFG-7

1个N沟道 耐压:100V 电流:13A 电流:50A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT10H009LFG-7
商品编号
C7264698
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.087克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)13A;50A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V,20A
属性参数值
耗散功率(Pd)2W;30W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)2.361nF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 低RDS(ON) - 确保导通状态损耗最小化
  • 出色的Qgd × RDS(ON)乘积(品质因数)
  • 适用于DC/DC转换器的先进技术
  • 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
  • 仅占用SO-8封装33%的电路板面积,使终端产品更小
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 无铅涂层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

-同步整流器-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF