温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT10H025LK3-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:47.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 新一代MOSFET具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT10H025LK3-13
- 商品编号
- C7264703
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.477nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 263pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 100%非钳位电感开关 - 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON) - 最大限度降低功率损耗
- 低QG - 最大限度降低开关损耗
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器
- 背光源