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DMT10H015SK3-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMT10H015SK3-13

1个N沟道 耐压:100V 电流:54A

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品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMT10H015SK3-13
商品编号
C7264701
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.464克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)54A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.8W;4.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)30.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.343nF
反向传输电容(Crss)26pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适用于以下场景: 笔记本电池电源管理 DC-DC转换器

  • 负载开关

商品特性

  • 生产过程中进行 100% 非钳位电感开关 (UIS) 测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低 RDS(ON) — 最大限度降低功耗
  • 低 Qg — 最大限度降低开关损耗
  • 无铅镀层;符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 电源管理功能
  • DC-DC 转换器
  • 背光源

数据手册PDF