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DMN3071LFR4-7R
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.4A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3071LFR4-7R
- 商品编号
- C7264655
- 商品封装
- X2-DFN1010-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品概述
这款600V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。凭借开关性能和传导性能之间的出色平衡，GBS60037在谐振开关拓扑中具备极高的效率。 超快体二极管使GBS60037适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。GBS60037采用TO - 247封装。
商品特性
-低导通电阻-低输入/输出泄漏电流-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-背光照明-负载开关