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DMN3060LVT-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3060LVT-13
- 商品编号
- C7264648
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能