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DMN3060LVT-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3060LVT-13
- 商品编号
- C7264648
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,3.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 当VGS为 -10 V、ID为 -3 A时，RDS(ON) < 50 mΩ
- 当VGS为 -4.5 V、ID为 -2 A时，RDS(ON) < 80 mΩ
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 栅极电荷低
- 反向传输电容低
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料