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SI4434DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:250V 电流:2.1A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 PWM 优化型 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% 汞测试。 雪崩测试。应用：电信电源。 分布式电源架构
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4434DY-T1-E3
- 商品编号
- C80774
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |