SI4434DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:250V 电流:2.1A
- SMT扩展库
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI4434DY-T1-E3商品编号
C80774商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 155mΩ@10V,3A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 1.56W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
1+¥11.38
10+¥10.6
30+¥10.14
100+¥9.2367¥9.33
500+¥9.0288¥9.12
1000+¥8.9298¥9.02¥22550
优惠活动
库存总量
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874
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购买数量(2500个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个2500个/圆盘
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