2N7002K-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- 2N7002K-T1-GE3
- 商品编号
- C81445
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 低导通电阻：2 Ω
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- TrenchFET功率MOSFET
- 2000 V静电放电保护
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器