APT10045JLL
1个N沟道 耐压:1kV 电流:21A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT10045JLL
- 商品编号
- C7216416
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 460W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 154nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.35nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT12N30/AOTF12N30采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并保证有雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。这些器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷 Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用常用的 SOT-227 封装