APT39M60J

1个N沟道耐压:600V 电流:42A

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT39M60J
商品编号: C7216487
商品封装: SOT-227B-4
包装方式: 管装
商品毛重: 43.536克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8 ^ TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。专有的平面条纹设计具有出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低 Crss “米勒” 电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率,从而实现低 EMI 和可靠的并联,即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

商品特性

快速开关,低 EMI/RFI
低 RDS(on)
超低 Crss,提高抗噪性
低栅极电荷
雪崩能量额定
符合 RoHS 标准

应用领域

PFC 和其他升压转换器
降压转换器
双开关正激(不对称桥)
单开关正激
反激式
逆变器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	42A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	480W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	280nC@10V
	输入电容(Ciss)	11.3nF
	反向传输电容(Crss)	115pF
	工作温度	-55℃~+150℃