APTM120UM70DAG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:171A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTM120UM70DAG
- 商品编号
- C7216571
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 171A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.65uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.5nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
AOW11S60和AOWF11S60采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并保证具有雪崩能力，因此可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 坚固耐用
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- M5功率连接器
- 高集成度
- 氮化铝(AlN)基板,提升热性能
应用领域
- 零电流开关谐振模式
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