商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 143A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 833W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.036uC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 超低导通电阻 RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关行为与温度无关
- 正向电压 VF 具有正温度系数
- 开尔文源极,便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引脚框架
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 高度集成
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器上(隔离封装)
- 结到外壳的热阻低
- 电源和信号引脚均为可焊接式,便于 PCB 安装
- 薄型封装
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正