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APTC60SKM24CT1G

1个N沟道耐压:600V 电流:95A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTC60SKM24CT1G
商品编号: C7216518
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8 ^ {TM} 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。专有的平面条纹设计具有出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低 C_rss “米勒” 电容实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，从而实现低 EMI 和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

商品特性

功率半导体
超低导通电阻(RDSon)
低米勒电容
超低栅极电荷
雪崩能量额定值
高可靠性
CR2碳化硅(SiC)肖特基二极管
零反向恢复
零正向恢复
开关特性不受温度影响
正向电压(VF)具有正温度系数
极低的杂散电感
内置热敏电阻用于温度监测
高度集成
高频运行时性能卓越
可直接安装到散热器上(隔离封装)
结到外壳的热阻低
电源和信号引脚均可焊接,便于 PCB 安装
低外形
符合 RoHS 标准

应用领域

交流和直流电机控制
开关电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	95A
	导通电阻(RDS(on))	24mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	462W
	阈值电压(Vgs(th))	2.1V
	栅极电荷量(Qg)	300nC@10V
	输入电容(Ciss)	14.4nF
	工作温度	-40℃~+150℃