APT45M100J
1个N沟道 耐压:1kV 电流:45A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT45M100J
- 商品编号
- C7216491
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,33A | |
| 耗散功率(Pd) | 960W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 570nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 单片集成类肖特基二极管
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 按照IEC61249 - 2 - 21标准无卤素