AOI4185
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W；62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
Power MOS 7® 是新一代低损耗、高压、N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7® 通过显著降低 RDS(ON) 和 Qg，同时解决了传导损耗和开关损耗问题。Power MOS 7® 将较低的传导损耗和开关损耗，与 APT 专利金属栅极结构固有的极快开关速度相结合。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷 Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- 采用常用的 SOT-227 封装