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AOSP21307
1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSP21307
- 商品编号
- C7214599
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.995nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。 通孔版本（IRLZ24L、SiHLZ24L）适用于薄型应用。
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 工作温度可达175°C
- 快速开关
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电