AOW125A60
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 312.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.993nF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和极高的器件耐用性。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9220、SiHFR9220)-直引脚(IRFUFU9220、SiHFU9220)-P沟道-快速开关