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AOTF14N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:14A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在流行的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(on)、Ciss和Crss以及有保证的雪崩能力，这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF14N50
- 商品编号
- C7214604
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.297nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AOT14N50和AOTF14N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低漏源导通电阻（RDS(on)）、输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），并具备有保证的雪崩能力，因此能够快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- V D S (V) = 600V,温度为 150 ^ \circ C
- I D = 14A
- R D S (O N) < 0.38 Ω(V G S = 10V)
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