- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON6810
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 746pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 最新沟槽功率AlphaMOS(αMOS LV)技术
- 在4.5V VGS下具有极低的RDS(ON)
- 低栅极电荷
- ESD保护
- 符合RoHS和无卤标准
- 共漏极
- 集成温度感应二极管
商品特性
- 国际标准封装
- miniBLOC，带氮化铝隔离
- 工作温度 175°C
- 隔离电压 2500 V~
- 高电流处理能力
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 低 RDS(on)
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
-电池管理