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TK8A50D(STA4,Q,M)
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK8A50D(STA4,Q,M)
- 商品编号
- C7069105
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF |
商品概述
G86N03采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10 \mu A(最大值)(VDS = 500 V)
- 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V, ID = 1 mA)
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源