TK8Q60W,S1VQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK8Q60W,S1VQ
- 商品编号
- C7069109
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@300V |
商品特性
- 低漏源导通电阻：(R_{\mathrm{DS(ON)}} = 0.048 \Omega)（典型值），采用超级结结构DTMOS
- 易于控制栅极开关
- 增强型：(V_{\mathrm{th}} = 2.5)至(3.5 \mathrm{~V})（(V_{\mathrm{DS}} = 10 \mathrm{~V}, I_{\mathrm{D}} = 2.5 \mathrm{~mA})）
应用领域
- 开关稳压器