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TPHR7904PB,L1XHQ
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- 特性：AEC-Q101 qualified。 小尺寸、薄封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.65 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40V)。 增强模式：VDM = 2.0 至 3.0V (VDS = 10V, ID = 1.0 mA)。应用：汽车。 电机驱动
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPHR7904PB,L1XHQ
- 商品编号
- C7073241
- 商品封装
- SOIC-8-5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.246667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.79mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W；960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.65nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.3nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.033Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 3.1 mA）
应用领域
- 开关稳压器