TPN7R506NH,L1Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:26A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN7R506NH,L1Q
- 商品编号
- C7073314
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,13A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW；42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@30V |
商品特性
~~- 先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- 负载开关-功率放大器开关
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