TPH11006NL,LQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:17A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH11006NL,LQ
- 商品编号
- C7073229
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W；34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF |
商品概述
- 最新沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 在4.5 VGS下具有极低的导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 6.4 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 9.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.2 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器