TK62J60W,S1VQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:61.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK62J60W,S1VQ
- 商品编号
- C7069089
- 商品封装
- TO-3P(N)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF |
商品概述
AOT470/AOB470L采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.033Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 3.1 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- TK65S04N1L,LXHQ
- TK7A50D(STA4,Q,M)
- TK8A45DA(STA4,Q,M)
- TK8A50D(STA4,Q,M)
- TK8Q60W,S1VQ
- TLW-132-06-G-S
- S-1155B30-U5T1G
- TLW-135-06-G-D
- TLW-136-01-T-D-RA
- S-1155B30-U5T1U
- S-1335H16-A4T2U3
- TLW-140-06-L-S
- S-1155B35-U5T1U
- S-1335K25-M5T1U3
- TLZ10B-GS18
- S-1155B37-U5T1U
- S-1335K30-M5T1U3
- TLZ10D-GS08
- S-1155B38-U5T1U
- TLZ12-GS18
- S-1335L21-M5T1U3