TK62J60W,S1VQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:61.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK62J60W,S1VQ
- 商品编号
- C7069089
- 商品封装
- TO-3P(N)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V,30.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@300V |
商品概述
AOT470/AOB470L采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。