S25HS01GTFABHB033

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HS01GTFABHB033
商品编号: C6998445
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

商品特性

采用45纳米技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
提供多种扇区架构选项：统一架构（所有扇区为256KB）、混合配置1（顶部或底部包含32个4KB扇区，其余为256KB扇区）、混合配置2（顶部和底部各包含16个4KB扇区，其余为256KB扇区）
页编程缓冲区为256或512字节
提供1024字节（32×32字节）的一次可编程安全硅阵列
支持四线SPI接口，兼容多种协议（如1S-1S-4S、1S-4S-4S等），SDR选项速率最高达83 Mbps（时钟166 MHz），DDR选项速率最高达102 Mbps（时钟102 MHz）
支持双线SPI接口，兼容1S-2S-2S协议，SDR选项速率最高达41.5 Mbps（时钟166 MHz）
支持标准SPI接口，兼容1S-1S-1S协议，SDR选项速率最高达21 Mbps（时钟166 MHz）
具备功能安全特性，符合ISO26262 ASIL B标准并准备支持ASIL D等级
采用Endurance Flex架构，提供高耐久性和长数据保持分区
通过数据完整性CRC检测存储阵列错误
提供安全启动功能，报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
内置纠错码，可纠正单比特错误并检测双比特错误
提供扇区擦除状态指示器，用于应对擦除过程中的电源中断
提供保护特性，包括传统的存储阵列和配置保护，以及基于单个存储阵列扇区的先进扇区保护
支持上电后立即访问存储阵列的自动启动功能
支持通过CS#信号、独立RESET#引脚或DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
支持描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数
提供设备标识、制造商标识和标识
数据完整性方面：256Mb器件主阵列最小可承受64万次编程/擦除循环；512Mb器件为128万次；1Gb器件为256万次；所有器件的4KB扇区最小可承受30万次编程/擦除循环；数据保持时间最小为25年
工作电压范围：1.7V至2.0V（HS-T）或2.7V至3.6V（HL-T）
工作温度范围：工业级为-40°C至+85°C；增强工业级为-40°C至+105°C；汽车级AEC-Q100 Grade 3为-40°C至+85°C；Grade 2为-40°C至+105°C；Grade 1为-40°C至+125°C
封装选项：256Mb和512Mb器件提供16引脚SOIC（300mil）- SO3016、24球BGA（6×8 mm）、16引脚SOIC（300mil）、8触点WSON（6×8 mm）；1Gb器件提供16引脚SOIC（300mil）- SO3016、24球BGA（8×8 mm）、16引脚SOIC（300mil）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit

	属性	参数值
	工作电压	1.7V~2V
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；ECC纠错；上电复位